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据行业消息，存储大厂铠侠KIOXIA调整新一代闪存量产节奏，原定2026年量产的第十代BiCS10 3D NAND闪存，正式延后至2027年落地投产，相关产线投资与落地细节将在2026年下半年正式披露。本次技术迭代升级，将直接重塑全球高端存储赛道竞争格局。

BiCS10作为铠侠新一代旗舰闪存技术，硬件规格实现全方位突破。产品搭载332层存储单元堆叠架构，对比当前主力BiCS8（218层）工艺，堆叠层数提升52%，存储位密度大幅提升59%，存储承载能力显著升级。

传输与能效表现同样亮眼，新品搭载Toggle DDR 6.0高速接口，I/O传输速率从3.6Gbps提升至4.8Gbps，性能增幅达33%。功耗控制实现大幅优化，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。在标准TLC模式下，单颗芯片容量可达2Tb，完美适配AI服务器、数据中心及高端消费终端的高密度、低功耗存储需求。

架构层面，BiCS10延续并升级成熟的CBA CMOS直接键合阵列技术，承袭BiCS8代核心设计思路。通过将逻辑电路与存储阵列分晶圆独立制造、精准键合的方式，省去复杂PLC架构，有效平衡存储密度与产品可靠性，兼顾量产良率与成本管控。该技术此前已在ISSCC 2025国际会议公开验证，确认332层超高堆叠架构下的运行稳定性。

战略布局上，铠侠将BiCS10商业化落地列为2026财年核心战略，周期覆盖2026年4月至2027年3月。企业持续倾斜资本开支，重点投入第八代成熟工艺产能扩容与第十代全新闪存技术研发、产线搭建，稳步推进高端3D NAND技术迭代落地。